产品名称：锗烷
价格：面议
产地：陕西
可售卖地：各省区域
外观：无色气体

用途：快速冷冻、冷冻麻醉

锗烷的主要用途介绍：

锗烷在较高温度下时分解为锗和氢气。这种对热不稳定性被用于半导体工业中，即有机金属化学气相沉积法（MOVPE）。由于甲锗烷毒性较大，某些有机锗化合物（如异丁基锗）可以替代甲锗烷，应用于MOVPE中。
用于生产高纯锗
锗烷作为高纯单质锗的重要来源之一，主要用于半导体，红外技术等方面。采用锗烷制备单质锗具有以下优点：锗烷分解在较低的温度下进行，并具有高的生产能力和高的产量，原始化合物和反应产品具有较小的反应能力，不需要补充试剂。
20世纪60年代以前，锗一直是作为重要的半导体材料而被大量采用，95%以上的锗是用于制造半导体器件，以后由于硅材料的崛起，致使锗在半导体领域的用量一落千丈。但锗器件具有其它器件性，锗具有非常小的饱和电阻，几乎无热辐射、功耗极小等优点。红外光学是耗锗很多的领域之一，美国和日本一直把锗烷作为战略储备物资用于军事方面。此外，锗在光纤、催化剂、医药、食品等领域仍然保持着一定的消耗量，还用于电阻温度计等。因此，即使硅材料被广泛使用，锗的生产也是不可少的，而锗烷分解法是生产高纯锗的较好方法之一。
用于太阳能电池
锗烷在电子工业中主要用于金属有机化合物气相沉积（MOCVD）工艺，作为太阳能电池的重要前驱气体，锗烷主要用于制作含锗的中等带隙的非晶硅锗合金吸收绿光的中间层，和锗含量更高的窄带隙的非晶硅锗合金吸收红光的底层。在非晶硅或者微晶硅薄膜材料中掺入锗元素后，硅锗薄膜材料就能够大幅的调节材料向窄带隙方向移动，从而提高硅基薄膜太阳电池的光谱响应范围和太阳电池的光吸收效率，*终使得硅基薄膜太阳电池的转换效率提高。
用于制备异质结二极晶体管
锗烷作为硅－锗（Si-Ge）膜的前体。主要用于制造电子器件，如集成电路、光电器件，特别是制备异质结二极晶体管。在异质结二极晶体管（HBT）中，薄硅锗层作为二极晶体管的基底生长在硅片上，与传统的硅二极晶体管相比，硅－锗HBT在速度、响应频率和增益上具有明显的优势，其速度和频率响应可以与更昂贵的镓－砷HBT相比。
其他用途
锗烷还应用于90nm以上CMOS（数码摄像器材感光元件） 、无线网络、3G通讯器材半导体元件生产中的外延工艺。另外，锗烷在扩散、离子注入等工序中也多有应用。